硬件基础篇-MOS
前言
我有预感，这章很重要，比前面几章基础篇都来的重要，MOS的应用及其广泛，驱动电路必不可少，低压领域注定存在，大杀四方。
NMOS与PMOS的基础知识
- N沟道增强型管（NPN）
- N沟道耗尽型管
- P沟道增强型管
- P沟道耗尽型管
增强型，指沟道从无到有，耗尽型反之
注意方向，GS连在一起
NMOS管的主回路电流方向为D→S，导通条件为VGS有一定的压差，Vgs大于一定的值就会导通，一般为510V（G电位比S电位高）；-10V（S电位比G电位高）
PMOS管的主回路电流方向为S→D，导通条件为VGS有一定的压差，Vgs小于一定的值就会导通，一般为-5
等效模型
NMOS可看成电压控制的电阻
MOS的重要参数
- 封装
- Vgsth
- Rdson （MOS管完全打开时的DS电阻，越小越好）
- Cgs （GS之间的寄生电容，一般大小与Rdson成反比，影响打开速度）
